SSD-диски Самсунг

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Емкость (Гб): 1000 Форм-фактор: М.2 2280 Интерфейс: PCIe 4.0 Тип памяти: 3bit MLC (TLC) Cкорость чтения (Мбайт/сек): 7000 Cкорость записи (Мбайт/сек): 5000

Страна производства: Китай

Бренд: Samsung; Модель: MZ-N6E1T0BW; Тип: Твердотельный накопитель SSD; Тип памяти: 3D NAND TLC; Форм-фактор: M.2; Объём: 1 Tb; Скорость чтения: 550 Мб/с; Скорость записи: 520 Мб/с; Интерфейс подключения: SATA-III; Пропускная способность интерфейса: 6 Гбит/сек; Стойкость к перегрузкам: 1500G длительностью 0.5 мс; Уровень шума в различных режимах: Бесшумны...

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Тип флеш-памяти: V-NAND, Жесткий диск (SSD): 512 ГБ, Серия: 960 PRO, Макс. скорость чтения: 3500 МБ/сек, Интерфейс подключения: PCI-Express 3.0 x 4, Толщина: 2.38 мм, Макс. скорость записи: 2100 МБ/сек, Форм-фактор: M.2 Type 2280, Страна: КНР

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Тип диска: SSD; Объем диска: 500; Форм-фактор: M.2 2280; Потребляемая мощность: 9; Высота: 80.15; Глубина: 2.38; Ширина: 22.15; Вес: 8; Цвет: Черный; Максимальная скорость записи: 3200; Максимальная скорость чтения: 3500;

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

Страна производства: Китай

скорость чтения, до: 540Мб/с; толщина - 10.5мм; интерфейс: USB; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: 1.8"

Серия 860 Evo Объем накопителя 500 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор 2.5 Тип памяти 3D Tlc Толщина 6.8 мм Максимальная скорость записи 520 Мб/с Максимальная скорость чтения 560 Мб/с Потребляемая мощность 4 Вт мес

Серия 860 Evo Объем накопителя 1024 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор 2.5 Тип памяти 3D Tlc Толщина 6.8 мм Максимальная скорость записи 520 Мб/с Максимальная скорость чтения 550 Мб/с Потребляемая мощность 4 Вт мес

Серия 860 Evo Объем накопителя 500 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Tlc Максимальная скорость записи 520 Мб/с Максимальная скорость чтения 560 Мб/с Потребляемая мощность 4 Вт мес

Серия T5 Объем накопителя 2048 Гб Интерфейс Usb Type-C Форм-фактор 1.8 Тип памяти 3D Nand Tlc Толщина 10.5 мм Максимальная скорость записи 1000 Мб/с Максимальная скорость чтения 540 Мб/с мес

Серия 860 Qvo Объем накопителя 2048 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор 2.5 Тип памяти V-Nand 9 Толщина 6.8 мм Максимальная скорость записи 520 Мб/с Максимальная скорость чтения 560 Мб/с Потребляемая мощность 4.2 Вт мес

Серия 860 Qvo Объем накопителя 1024 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор 2.5 Тип памяти V-Nand 9 Толщина 6.8 мм Максимальная скорость записи 520 Мб/с Максимальная скорость чтения 550 Мб/с Потребляемая мощность 4 Вт мес

Серия T5 Объем накопителя 500 Гб Интерфейс Usb Type-C Форм-фактор 1.8 Тип памяти 3D Nand Tlc Толщина 10.5 мм Максимальная скорость записи 1000 Мб/с Максимальная скорость чтения 540 Мб/с мес

Серия 860 Evo Объем накопителя 2048 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор 2.5 Тип памяти 3D Tlc Толщина 6.8 мм Максимальная скорость записи 520 Мб/с Максимальная скорость чтения 560 Мб/с Потребляемая мощность 4 Вт мес

Серия 860 Pro Объем накопителя 2048 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор 2.5 Тип памяти 3D Mlc Толщина 6.8 мм Максимальная скорость записи 530 Мб/с Максимальная скорость чтения 560 Мб/с Потребляемая мощность 4 Вт мес

Серия 860 Pro Объем накопителя 256 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор 2.5 Тип памяти 3D Mlc Толщина 6.8 мм Максимальная скорость записи 530 Мб/с Максимальная скорость чтения 560 Мб/с Потребляемая мощность 3.3 Вт мес

Серия 860 Evo Объем накопителя 256 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Tlc Максимальная скорость записи 520 Мб/с Максимальная скорость чтения 550 Мб/с Потребляемая мощность 4 Вт мес

Серия T5 1 Объем накопителя 1024 Гб Интерфейс Usb Type-C Форм-фактор 1.8 Тип памяти 3D Nand Tlc Толщина 10.5 мм Максимальная скорость записи 1000 Мб/с Максимальная скорость чтения 540 Мб/с мес

Серия 970 Pro Объем накопителя 512 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Mlc Максимальная скорость записи 2300 Мб/с Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Потребляемая мощность 8.5 Вт мес

Объем накопителя 1024 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Nand Tlc Максимальная скорость записи 520 Мб/с Максимальная скорость чтения 550 Мб/с Потребляемая мощность 4.5 Вт мес

Серия 860 Pro Объем накопителя 1024 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор 2.5 Тип памяти 3D Mlc Толщина 6.8 мм Максимальная скорость записи 530 Мб/с Максимальная скорость чтения 560 Мб/с Потребляемая мощность 4.5 Вт мес

Накопитель SSD 2.5 PM1733 1.92TB NVMe PCIe Gen4 7000/2400MB/s IOPS 800K/100K MTBF 2M 1DWPD OEM

Накопитель SSD M.2 2280 980 PRO 250GB PCIe Gen 4.0 x4 NVMe V-NAND 3-bit MLC 6400/2700MB/s IOPs 500K/600K MTBF 1.5M

Накопитель SSD 2.5 PM1643a 7.68TB SAS 12Gb/s 2100/2000MB/s IOPS 400K/90K MTBF 2M 1 DWPD OEM

Накопитель SSD 2.5 PM893 3.84TB SATA 6Gb/s TLC 560/530MB/s IOPS 98K/31K MTBF 2M

500 ГБ SSD-накопитель Samsung 870 EVO [MZ-77E500BW] благодаря своей емкости и возможностям станет отличным выбором для игровых или рабочих компьютеров. Модель основана наипах памяти NAND и использует производительный микроконтроллер Samsung MKX, который вместе с интерфейсом SATA III, использующимся для подключения к материнской плате и отличающимся высоко...

SSD-накопитель стоит использовать для установки системы и наиболее востребованных программ,тобы увеличить производительность компьютера. Обладая значительно большей,ем у привычных жестких дисков, скоростьютения и записи данных, он может в разы ускорить загрузку ОС и приложений, значительно сократить время обработки и скачивания файлов. SSD-диск обладает в...

250 ГБ SSD-накопитель Samsung 870 EVO [MZ-77E250BW] станет отличным выбором для модернизации вашего компьютера. В основе данной модели применяются первоклассныеипы памяти NAND и производительный микроконтроллер Samsung MGX,то вместе с интерфейсом SATA III, используемым для подключения к материнской плате и отличающимся высокой пропускной способностью, обе...