Модули памяти Самсунг

UNB SODIMM 3200MHz 1Rx16, 1.2V

PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V

PC4-25600 3200MHz CL22 ECC Reg 1.2V

Тип памяти: DDR5 Форм-фактор: SODIMM Объем памяти (Гб): 8 Частотная спецификация (MHz): 5600 Цвет: зеленый

PC4-23400 2933MHz CL21 ECC Reg 1.2V

Страна производства: Китай

PC5-44800 5600MHz CL46 1.1V OEM

PC4-25600 3200MHz CL22 ECC Reg 1.2V

Страна производства: Китай

Бренд: Samsung; Название товара: Модуль оперативной памяти; Модель: M471A2K43EB1-CWE; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1 шт.; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz; Код вендора: M471A2K43EB1-CWE; Латентность: ...

PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V

PC5-38400, 4800MHz, CL40, 1.1V

PC5-44800 5600MHz CL46 1.1V

PC4-25600 3200MHz CL22 ECC 1.2V

Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: SODIMM Объем памяти (Гб): 16 Частотная спецификация (MHz): 3200 Цвет: зеленый

Бренд: Samsung; Название товара: Модуль оперативной памяти; Модель: M425R4GA3BB0-CWM; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1 шт.; Тип модуля памяти: DDR5; Объём: 32Gb; Объем одного модуля памяти: 32Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC5-44800 5600MHz; Код вендора: M425R4GA3BB0-CWM; Питание: 1.1V...

RDIMM, PC5-44800, 5600MHz, CL40, ECC, 1.1V

PC4-25600 3200MHz 1.2V 288-pin 4Rx4

Тип памяти: DDR5 Форм-фактор: SODIMM Объем памяти (Гб): 32 Частотная спецификация (MHz): 4800 Цвет: зеленый

PC4-23400 2933MHz CL21 2Rx4 288-pin ECC Reg 1.2V

Модуль памяти DDR4 16GB PC4-25600 3200MHz 1.2V

PC4-25600 3200MHz ECC Reg 1.2V OEM

PC4-21300, 2666MHz

DDR5 — это 5-е поколение синхронной динамической оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory), также называемая DDR5. Память Samsung DDR5 обладает функциями для повышения производительности, снижения энергопотребления и более высокой целостности данных для вычислительных систем следую...

Модуль памяти DDR4 8GB PC4-23400 2933MHz CL21 ECC Reg 1.2V

PC4-19200 2400MHz CL17 1.2V Bulk Страна производства: ФИЛИППИНЫ

Модуль памяти DDR4 64GB PC4-23400 2933MHz CL21 2Rx4 288-pin ECC Reg 1.2V

Модуль памяти DDR4 32GB PC4-23400 2933MHz ECC Reg 2Rx8 1.2V

Модуль памяти SODIMM DDR4 16GB PC4-21300 2666MHz CL19 2R 260pin 1.2V

Модуль памяти DDR4 32GB PC4-25600 3200MHz CL22 ECC Reg 1.2V

Модуль памяти DDR4 64GB PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V ECC Registered Low Reduced (LRDIMM) QRx4 Bulk

Модуль памяти DDR4 16GB PC4-21300 2666MHz CL19 ECC Registered 1.2V RTL

Модуль памяти SODIMM DDR5 16GB DDR5, SODIMM, 1х16 ГБ, 4800 МГц, 38400 Мб/с , 40 CL, 1.1 В

Модуль памяти SODIMM DDR4 8GB DDR4, SODIMM, 1х8 ГБ, 3200 МГц, 25600 Мб/с , 22 CL, 1.2 В

Модуль памяти DDR4 8GB DDR4, DIMM, 1х8 ГБ, 3200 МГц, 25600 Мб/с , 21 CL, 1.2 В

Модуль памяти DDR4 8GB PC4-25600 3200MHz CL22 1.2 V

Модуль памяти DDR4 4GB DDR4, DIMM, 1х4 ГБ, 3200 МГц, 25600 Мб/с , 19 CL, 1.2 В, OEM

Модуль памяти DDR4 64GB DDR4, RDIMM, 1х64 ГБ, 3200 МГц, 25600 Мб/с , ECC, 21 CL, 1.2 В

Модуль памяти DDR4 8GB DDR4, RDIMM, 1х8 ГБ, 3200 МГц, 25600 Мб/с , ECC, 21 CL, 1.2 В

Модуль памяти DDR4 64GB DDR4, DIMM, 1х64 ГБ, 2933 МГц, 23466 Мб/с , ECC, 21 CL, 1.2 В

Модуль памяти DDR4 64GB PC4-25600 3200MHz CL22 288pin ECC Reg 1.2V

Модуль памяти DDR4 8GB DDR4, DIMM, 1х8 ГБ, 2666 МГц, 21300 Мб/с , 19 CL, 1.2 В

Модуль памяти DDR4 16GB PC4-21300 2666MHz CL19 288-pin 1.2V OEM

Модуль памяти DDR4 128GB PC4-25600 3200MHz CL22 ECC Reg 1.2V

Модуль памяти DDR4 64GB PC4-21300 2666MHz ECC Reg CL19 1.2V

Модуль памяти DDR4 64GB DDR4, LRDIMM, 1х64 ГБ, 2933 МГц, 23400 Мб/с , ECC, 19 CL, 1.2 В